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| 製造業者識別番号: | STP10N60M2 |
| メーカー: | STMicroelectronics |
| 説明の一部: | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220 |
| 鉛フリーステータス / RoHS ステータス: | 鉛フリー / RoHS 準拠 |
| 在庫状況: | 48788 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 出荷方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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| タイプ | 説明 |
|---|---|
| 商品状態 | Active |
| フェチタイプ | N-Channel |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss) | 600 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 7.5A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン) | 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds | 600mOhm @ 3A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 13.5 nC @ 10 V |
| vgs (最大) | ±25V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds | 400 pF @ 100 V |
| フェチ機能 | - |
| 消費電力 (最大) | 85W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤー デバイス パッケージ | TO-220 |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 |
176 のうち 168 (98%)
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